SPD01N60C3BTMA1

Mfr#	SPD01N60C3BTMA1
Mfr.	International Rectifier (Infineon Technologies)
ការពិពណ៌នា	MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
ស្ថានភាព RoHs	ដឹកនាំដោយឥតគិតថ្លៃ / RoHS
ព័ត៌មានបន្ថែម	លាភបន្ថែមទៀតអំពីអេស .០០ ។

តារាងទិន្នន័យ	SPD01N60C3BTMA1.pdf

ការពិពណ៌នា

យើងអាចផ្គត់ផ្គង់អេឡិចត្រូនិច SPD01N60C3BTMA1 ប្រើទម្រង់បែបបទសម្រង់សំណើដើម្បីស្នើសុំ SPD01N60C3BTMA1 pirce និងពេលវេលាដឹកនាំ។ NewBue គឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិចដែលមានជំនាញវិជ្ជាជីវៈ។ ជាមួយធាតុអេឡិចត្រូនិចចំនួន ៧ លានគ្រឿងអាចដឹកជញ្ជូនបានក្នុងរយៈពេលខ្លីជាង ២៥០.០០០ ផ្នែកនៃគ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិចដែលមានក្នុងស្តុកសម្រាប់ចែកចាយភ្លាមៗដែលអាចរាប់បញ្ចូលទាំងផ្នែក SPD01N60C3BTMA1 ផងដែរ។ តម្លៃនិងពេលវេលានាំមុខសម្រាប់អេស៊ីអេ ០ អាស្រ័យលើបរិមាណ ត្រូវការ, អាចរកបាននិងទីតាំងឃ្លាំង។ ទាក់ទងមកពួកយើងថ្ងៃនេះនិងតំណាងផ្នែកលក់របស់យើងនឹងផ្តល់ជូនអ្នកនូវតម្លៃនិងការចែកចាយនៅលើផ្នែកលេខ SPD01N60C3BTMA1 ។ យើងទន្ទឹងរង់ចាំធ្វើការជាមួយអ្នកដើម្បីបង្កើតទំនាក់ទំនងសហប្រតិបត្តិការរយៈពេលវែង។

សូមបំពេញវាលដែលត្រូវការទាំងអស់ជាមួយព័ត៌មានទំនាក់ទំនងរបស់អ្នក។ សូមចុច "RFQ" យើងនឹងទាក់ទងអ្នកក្នុងរយៈពេលខ្លីតាមអ៊ីមែល។ ឬអ៊ីម៉ែលមកយើង៖ ។

~~នៅក្នុងស្តុក:~~5628 pcs
~~តាមលំដាប់។:~~0 pcs
~~អប្បបរមា។:~~1 pcs
~~គុណ។:~~1 pcs
~~ពេលវេលាដឹកនាំរោងចក្រ។::~~Call

ប្រើទម្រង់បែបបទខាងក្រោមដើម្បីដាក់សំណើរសុំការដកស្រង់។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រផលិតផល។
ផលិតផលដែលពាក់ព័ន្ធ។

លេខផ្នែក	SPD01N60C3BTMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត	International Rectifier (Infineon Technologies)
ការពិពណ៌នា	MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
ស្ថានភាពស្ថានភាពឥតបានការ / ស្ថានភាព RoHS	ដឹកនាំដោយឥតគិតថ្លៃ / RoHS
បរិមាណដែលអាចរកបាន	5628 pcs
តារាងទិន្នន័យ	SPD01N60C3BTMA1.pdf
Vgs (th) (អតិបរមា) @ Id	3.9V @ 250µA
VGS (អតិបរមា)	±20V
បច្ចេកវិទ្យា	MOSFET (Metal Oxide)
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់	PG-TO252-3
ស៊េរី	CoolMOS™
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
ការបញ្ចោញថាមពល (អតិបរមា)	11W (Tc)
ការវេចខ្ចប់	Cut Tape (CT)
កញ្ចប់ / សំណុំរឿង	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ឈ្មោះដ៏ទៃទៀត	SPD01N60C3BTMA1CT SPD01N60C3INCT SPD01N60C3INCT-ND
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ	-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន	Surface Mount
កម្រិតរស្មីសំណើម (MSL)	1 (Unlimited)
ស្ថានភាពស្ថានភាពឥតបានការ / ស្ថានភាព RoHS	Lead free / RoHS Compliant
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds	100pF @ 25V
ច្រកច្រក (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs	5nC @ 10V
FET ប្រភេទ	N-Channel
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET	-
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (លេខអតិបរមានៅថ្ងៃទីតិច)	10V
បង្ហូរទៅតង់ស្យុងប្រភព (Vdss)	650V
ការពិពណ៌នាលំអិត	N-Channel 650V 800mA (Tc) 11W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ចរន្ត - បន្តលិច (Id) @ 25 ° C	800mA (Tc)